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2SK3811
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
3.0
2.5
2.0
V GS = 10 V
Pulsed
100000
10000
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C iss
1.5
1.0
0.5
0
1000
100
C oss
C rss
-75
-25
25
75
125
175
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - °C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
35
I D = 110 A
14
100
10
1
t r
t d(off)
t d(on)
t f
V DD = 20 V
V GS = 10 V
R G = 0 ?
30
25
20
15
10
5
0
V DD = 32 V
20 V
8V
V DS
V GS
12
10
8
6
4
2
0
0.1
1
10
100
1000
0
50
100
150
200
250
300
1000
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
1000
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
100
V GS = 10 V
0V
100
10
10
1
Pulsed
0.1
1
0
0.5
1
1.5
0.1
1
10
100
1000
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D16737EJ1V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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